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華為李小龍揭秘EUV工藝:半導(dǎo)體領(lǐng)域重大突破

   2019-09-08 快科技
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核心提示:9月7日,華為手機(jī)產(chǎn)品線副總裁李小龍在微博科普了一番麒麟990 5G使用的EUV(極紫外線)光刻工藝。李小龍贊嘆

9月7日,華為手機(jī)產(chǎn)品線副總裁李小龍在微博科普了一番麒麟990 5G使用的EUV(極紫外線)光刻工藝。

李小龍贊嘆道:“這次發(fā)布的麒麟990 5G使用了EUV(極紫外線)光刻工藝,光刻設(shè)備的波長從之前的193納米縮短到了10幾納米,這在半導(dǎo)體領(lǐng)域是非常大的一個突破。正是基于這項技術(shù),我們才能夠在約200mm2的面積下集成了103億顆晶體管,幾乎比上一代產(chǎn)品增加了一半。”

但EUV究竟是什么呢?李小龍推薦了一篇科普文章,感興趣的讀者可以前往圍觀,簡單來說,EUV是極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)的縮寫,常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。

麒麟990 5G采用了臺積電的7nm+ EUV工藝,此前有消息稱,蘋果的A13也已經(jīng)鎖定臺積電7nm+。

此外臺積電還透露, 正穩(wěn)步推進(jìn)下一代5nm工藝,全面應(yīng)用EUV技術(shù),已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn),預(yù)計2020年第一季度量產(chǎn)。另外臺積電還有個過渡性質(zhì)的6nm工藝,基于7nm改進(jìn)而來,預(yù)計2020年第一季度試產(chǎn),非常適合現(xiàn)有7nm工藝用戶直接升級。
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