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工信部:光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(征求意見稿)

   2013-08-28 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
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核心提示:為深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,引導(dǎo)光伏制造行業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級,推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展,根據(jù)國務(wù)院《關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)

為深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,引導(dǎo)光伏制造行業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級,推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展,根據(jù)國務(wù)院《關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》(國發(fā)[2013]24號)和國家有關(guān)法律法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策,按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則,特制定光伏制造行業(yè)規(guī)范條件。

一、生產(chǎn)布局與項(xiàng)目設(shè)立

(一)光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目應(yīng)符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護(hù)、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求,符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求,符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等要求。

(二)在國家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準(zhǔn)的基本農(nóng)田保護(hù)區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)、自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護(hù)區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項(xiàng)目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)逐步遷出。

(三)嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目。對加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目,報行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目,最低資本金比例為20%。

二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)

(一)光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

(二)光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件:在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立,具有獨(dú)立法人資格;具有太陽能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力;具有省級以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì),每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣;申報符合規(guī)范名單時上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第(三)款產(chǎn)能要求的50%。

(三)光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求:

1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模大于3000噸/年;

2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸;

3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸;

4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片;

5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp;

6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp;

7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。

(四)現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求:

1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求;

2.多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命大于2μs,電阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分別小于16和18PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs,電阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分別小于10和18PPMA;

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和17%;

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于14.5%和15.5%;

5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。

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