科銳公司 (CREE) 宣布推出新型CPW5 Z-Rec®高功率碳化硅(silicon-carbide, SiC)蕭特基二極管產(chǎn)品，為業(yè)界第一個已可商用化的50安培SiC整流器系列。這些新型二極管專為在從50 千瓦 (kW) 到超過1兆瓦 (MW) 的高電力系統(tǒng)中使用SiC技術(shù)，具有降低成本、提升效率、簡化系統(tǒng)以及可靠度高的優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，包括太陽能/太陽能光電轉(zhuǎn)換器(PV inverter)、工業(yè)用電源、感應(yīng)加熱、電池充電站、風(fēng)力發(fā)電變流器和牽引逆變器。

科銳的CPW5蕭特基二極管特別為方便50安培的二極管與50安培的MOSFET或IGBT直接配接而開發(fā)，以單一CPW5整流器取代多個低電壓、低電流的SiC蕭特基二極管或硅PiN二極管，有助降低系統(tǒng)的復(fù)雜程度和成本。由于SiC的開關(guān)過程中消除了電壓超量的問題，因此可以藉著降低最大電壓額定值和消除緩沖電路來進一步降低成本。

APEI公司業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Ty McNutt表示：“科銳的CPW5系列SiC蕭特基二極管是我們高性能功率組件和電子電力系統(tǒng)中的重要組成部分。其低順向電壓降 (voltage drop)、快速的開關(guān)速度和擴展的溫度性能，使我們能在許多應(yīng)用，例如高功率馬達驅(qū)動器和太陽能光電轉(zhuǎn)變器中提升功率密度和效率。”

科銳 CPW5二極管可實現(xiàn)新一代的高電流Si/SiC IGBT組件。與傳統(tǒng)組件相比，混合式Si/SiC的IGBT組件的開關(guān)損耗可銳減達43%，同時還可抑制電壓及電流超量、開關(guān)延遲時間(dead time)和冷卻需求。另一個好處是設(shè)計工程師可利用與傳統(tǒng)組件相同的閘極驅(qū)動器設(shè)計和電路，從而可方便及立即執(zhí)行系統(tǒng)。此外，科銳CPW5二極管也提供了一個具有超過500安培反復(fù)電流和2000安培非反復(fù)電流的正向峰值浪涌電阻，在最惡劣的電氣環(huán)境下也能提供較高的可靠性。

SmiDice執(zhí)行長Dan Cormack表示：“SemiDice是以外延片和芯片方式提供科銳SiC功率產(chǎn)品的獨家經(jīng)銷商，我們很高興能供應(yīng)CPW5系列的Z-Rec蕭特基二極管。我們正看到客戶對50安培蕭特基二極管的需求增加，并深信Cree作為高階SiC二極管制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)先者，將可提供我們客戶所期望的品質(zhì)和性能，協(xié)助他們將系統(tǒng)成本和尺寸降到最低。”

CPW5系列Z-Rec蕭特基二極管包括1700V/50A、1200V/50A、650V/50A和650V/30A組合。SemiDice公司現(xiàn)已提供新型CPW5二極管的裸晶。

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