12月7日，西部數(shù)據(jù)公司在京宣布推出全新先進的iNAND嵌入式閃存盤 ，型號分別為閃迪iNAND8521和iNAND 7550。借助西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術和先進的UFS與e.MMC接口技術，兩款新品達到了256GB的高容量。當該產品用于智能手機和輕薄型計算設備中時，他們可以為以數(shù)據(jù)為中心的大量應用加速，包括增強現(xiàn)實、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗，當然還有新興的終端人工智能和物聯(lián)網(wǎng) 體驗。對此，環(huán)球網(wǎng)科技記者對專門負責嵌入式集成解決方案的西部數(shù)據(jù)公司EIS部門產品市場管理總監(jiān)包繼紅進行了采訪。

西部數(shù)據(jù)EIS部門產品市場管理總監(jiān)包繼紅

“中國大陸現(xiàn)在基本上在做移動手機中高端旗艦機，中國臺灣主要做計算機，韓國以三星和LG為主也是做手機，印度是新市場，因此，7550比較針對印度市場，8521可能就是針對中國市場。”西部數(shù)據(jù)公司EIS部門產品市場管理總監(jiān)包繼紅說道。

據(jù)了解，基于互聯(lián)網(wǎng)用戶需求高的時期，會有更多的智能手機更換或者轉移到智能手機的機會。通過做出全球分析，可以看到2017年智能手機數(shù)量增長到16億部，增長率達6%。2017年更多是屬于相對價格戰(zhàn)，到了2020年會有AR/VR技術來推動整個市場發(fā)展，這個時期是由新技術推動行業(yè)發(fā)展，新技術會投入到智能手機層面，包括新的存儲的技術。

談到移動存儲除了存儲容量以及傳輸速度以外，還有哪些問題是要解決時，包繼紅表示，從手機的角度來說，一個是屏幕的大小、畫質，還有一個是電池?，F(xiàn)在終端CPU的處理能力不夠，所以需要一直提升CPU性能，但是據(jù)分析師預計，提升性能的曲線和電池的曲線不符合，現(xiàn)在得去加強電池的技術，所以存儲，然后傳輸速度、屏幕、OLED重要性的提高，也使得存儲的百分比也越來越高。

iNAND系列的新成員iNAND 8521和iNAND 7550均為嵌入式閃存盤，如今嵌入式存儲市場競爭不可謂不激烈。“大家在大規(guī)模的轉3D、用TLC。但是卻沒有人能完全預測人工智能的存儲容量。誰也不知道人工智能和機器學習的存儲容量是多少，現(xiàn)在大家都在摸索這個問題沒有報告和數(shù)字顯示人工智能的存儲容量是多少。”包繼紅對嵌入式存儲市場做出了期待。

三星推出512GUFS內存芯片，預計現(xiàn)在2019年將突破5G等一系列事件也引起了行業(yè)的震蕩與關注，據(jù)包繼紅預測，2018年的最佳容量點是64G到256G，至于說以后是否會擴展到256G，這一可能性很大。

從人臉識別到人機交互，智能手機的賣點接連不斷，隨著人們對照片數(shù)量和視頻觀看的需求提升，存儲未來或將成為新一代智能手機賣點或者差異化競爭因素，閃存存儲容量的BoM比例越來越高，存儲的量本身以及存儲本身的性能就會顯現(xiàn)出來。

在談及手機未來主要趨勢，包繼紅認為，未來5G和人工智將能給大家?guī)淼母鞣N各樣的可能性，相比于本身手機APP，視頻還是驅動存儲容量提升的最大動力。
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