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英美研發(fā)出首個高溫自旋場效應晶體管

   2010-12-29 互聯網綜合消息
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核心提示:  據美國物理學家組織網12月23日報道,美國得克薩斯AM大學物理學家杰羅·斯納夫領導的一個國際科研小組在
  據美國物理學家組織網12月23日報道,美國得克薩斯A&M大學物理學家杰羅·斯納夫領導的一個國際科研小組在23日出版的《科學》雜志上宣布,他們研制出了首個能在高溫下工作的自旋場效應晶體管(FET),該設備由電力控制,其功能基于電子的自旋,其中包含一個與門邏輯設備。新突破將給半導體納米電子學和信息技術領域帶來新氣象。
  英國日立劍橋實驗室、劍橋大學、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾斯大學的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異?;魻栃Y合在一起,制造出了這種自旋FET,其中包括一個與門邏輯設備,自旋FET的概念于1989年首次提出,這是科學家首次在其中實現與門邏輯設備。
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