隨著摩爾定律接近極限，傳統(tǒng)的晶體管器件已進(jìn)入發(fā)展瓶頸期，探索新一代信息材料已成為當(dāng)前信息領(lǐng)域的研究熱點。低維量子材料具有谷電子自旋的獨特性質(zhì)，有望成為新一代信息材料在未來6G信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮重要作用。然而，如何實現(xiàn)低維量子材料的谷電子自旋極化調(diào)控是推動該材料實際應(yīng)用面臨的重大研究挑戰(zhàn)之一。
　　近期，在國家重點研發(fā)計劃“納米科技”重點專項的支持下，我國科學(xué)家設(shè)計了結(jié)構(gòu)對稱的納米天線與六方氮化硼/二硒化鎢/六方氮化硼的金屬/介質(zhì)復(fù)合納米結(jié)構(gòu)，利用超高分辨電子束精準(zhǔn)激發(fā)金屬結(jié)構(gòu)的圓偏振偶極電磁模式，通過近場相互作用在納米尺度實現(xiàn)了對低維材料谷極化的調(diào)控。同時，研究人員發(fā)現(xiàn)電子束激發(fā)位點的移動（空間分辨率小于5納米），能夠在50納米內(nèi)實現(xiàn)谷極化的“開”和“關(guān)”，以及100納米內(nèi)的谷極化態(tài)反轉(zhuǎn)。
　　該研究提出的新型低維量子材料谷極化電子束操控方案，可指導(dǎo)谷電子器件納米尺度集成，在邏輯運算、光電存儲及未來量子信息研究方面具有重要意義。

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