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安徽:鐵電新材料或可大幅減少手機(jī)芯片能耗

   2021-10-08 安徽省科學(xué)技術(shù)廳門(mén)戶(hù)網(wǎng)站
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核心提示:美國(guó)賓州大學(xué)材料研究所材料科學(xué)與工程教授Jon-Paul Maria等研究人員近日在《應(yīng)用物理學(xué)雜志》(Journal of

美國(guó)賓州大學(xué)材料研究所材料科學(xué)與工程教授Jon-Paul Maria等研究人員近日在《應(yīng)用物理學(xué)雜志》(Journal of Applied Physics)發(fā)表論文,稱(chēng)摻雜鎂的氧化鋅(magnesium-substituted zinc oxide)呈現(xiàn)鐵電性,這一鐵電新材料有望在低能耗條件下提高數(shù)字信息存儲(chǔ)能力。

鐵電材料指在一定溫度范圍內(nèi)具有自發(fā)極化, 且極化方向能被外加電場(chǎng)改變的材料。鐵電材料可在無(wú)外加電源的情況下保持較穩(wěn)定的極化狀態(tài),因此可提供低能耗的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。Jon-Paul Maria教授表示,該團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)的新材料可制作微型電容器并設(shè)定極化方向。新材料由摻雜鎂的氧化鋅薄膜制作,該薄膜通過(guò)濺射沉積法制備,即氬離子以高速?zèng)_擊含有鎂和鋅的標(biāo)靶,使鎂、鋅原子脫離標(biāo)靶并以氣相狀態(tài)游移,直至發(fā)生氧化反應(yīng),最后在鉑金涂層的氧化鋁基質(zhì)上沉積而形成薄膜。

鐵電新材料研發(fā)的下一步是將其制成厚度約為10納米、長(zhǎng)度約為20—30納米的電容器。研究人員需要想辦法控制材料的沉積,防止出現(xiàn)瑕疵。這將是鐵電新材料用于手機(jī)芯片新技術(shù)的關(guān)鍵所在。

(來(lái)源:安徽省科學(xué)技術(shù)廳門(mén)戶(hù)網(wǎng)站)


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